Справочник MOSFET. YJG40G10A

 

YJG40G10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJG40G10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 399 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0175 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 

 Аналог (замена) для YJG40G10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJG40G10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1408K  cn yangzhou yangjie elec
 yjg40g10a.pdf pdf_icon

YJG40G10A

RoHS COMPLIANT YJG40G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 40A D R ( at V =10V) 17.5 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 21.5 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split gate trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High densit

Другие MOSFET... YJD60N02A , YJD60N04A , YJD65G10A , YJD80N03A , YJD80N03B , YJD90N02A , YJG15GP10A , YJG30N06A , 4435 , YJG50N03A , YJG70G06A , YJG80G06B , YJG85G06AK , YJG90G10A , YJJ09N03A , YJL02N10A , YJL03G10A .

History: AOB266L | 2SK3857TK | SSM4426GM | MM137N04K | EKI06075 | P3506DT

 

 
Back to Top

 


 
.