YJG50N03A Todos los transistores

 

YJG50N03A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJG50N03A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 323 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0047 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6
 

 Búsqueda de reemplazo de YJG50N03A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

YJG50N03A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1339K  cn yangzhou yangjie elec
 yjg50n03a.pdf pdf_icon

YJG50N03A

RoHS COMPLIANT YJG50N03A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 50A D R ( at V = 10V) 4.7mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 6.0mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% V Tested DSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density ce

Otros transistores... YJD60N04A , YJD65G10A , YJD80N03A , YJD80N03B , YJD90N02A , YJG15GP10A , YJG30N06A , YJG40G10A , IRF530 , YJG70G06A , YJG80G06B , YJG85G06AK , YJG90G10A , YJJ09N03A , YJL02N10A , YJL03G10A , YJL03N06A .

History: VSO011N06MS | SSF2816EB | 2SK3705 | JCS620CT | JCS60N10I | 2N80L-TN3-R | IXFX90N60X

 

 
Back to Top

 


 
.