YJG50N03A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJG50N03A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 323 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

Аналог (замена) для YJG50N03A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJG50N03A даташит

 ..1. Size:1339K  cn yangzhou yangjie elec
 yjg50n03a.pdf pdf_icon

YJG50N03A

RoHS COMPLIANT YJG50N03A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 50A D R ( at V = 10V) 4.7mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 6.0mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% V Tested DS General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density ce

Другие IGBT... YJD60N04A, YJD65G10A, YJD80N03A, YJD80N03B, YJD90N02A, YJG15GP10A, YJG30N06A, YJG40G10A, IRF1010E, YJG70G06A, YJG80G06B, YJG85G06AK, YJG90G10A, YJJ09N03A, YJL02N10A, YJL03G10A, YJL03N06A