YJG50N03A - аналоги и даташиты транзистора

 

YJG50N03A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: YJG50N03A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 323 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 

 Аналог (замена) для YJG50N03A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJG50N03A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1339K  cn yangzhou yangjie elec
 yjg50n03a.pdf pdf_icon

YJG50N03A

RoHS COMPLIANT YJG50N03A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 50A D R ( at V = 10V) 4.7mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 6.0mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% V Tested DSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density ce

Другие MOSFET... YJD60N04A , YJD65G10A , YJD80N03A , YJD80N03B , YJD90N02A , YJG15GP10A , YJG30N06A , YJG40G10A , IRF1010E , YJG70G06A , YJG80G06B , YJG85G06AK , YJG90G10A , YJJ09N03A , YJL02N10A , YJL03G10A , YJL03N06A .

 

 
Back to Top

 


 
.