YJG70G06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: YJG70G06A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
Búsqueda de reemplazo de YJG70G06A MOSFET
YJG70G06A Datasheet (PDF)
yjg70g06a.pdf

RoHS COMPLIANT YJG70G06A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 70A D R ( at V =10V) 7.5 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 9.5 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split Gate Trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density
Otros transistores... YJD65G10A , YJD80N03A , YJD80N03B , YJD90N02A , YJG15GP10A , YJG30N06A , YJG40G10A , YJG50N03A , AON7506 , YJG80G06B , YJG85G06AK , YJG90G10A , YJJ09N03A , YJL02N10A , YJL03G10A , YJL03N06A , YJL05N06AL .
History: HM2318B | NTMFS5C628NLT1G | 2SK762
History: HM2318B | NTMFS5C628NLT1G | 2SK762



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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