YJG70G06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: YJG70G06A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 34 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
YJG70G06A Datasheet (PDF)
yjg70g06a.pdf

RoHS COMPLIANT YJG70G06A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 70A D R ( at V =10V) 7.5 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 9.5 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split Gate Trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density
Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
History: STW14NK60Z | R6030ENZ
History: STW14NK60Z | R6030ENZ



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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