YJG70G06A - аналоги и даташиты транзистора

 

YJG70G06A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: YJG70G06A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L
 

 Аналог (замена) для YJG70G06A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJG70G06A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:912K  cn yangzhou yangjie elec
 yjg70g06a.pdf pdf_icon

YJG70G06A

RoHS COMPLIANT YJG70G06A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 70A D R ( at V =10V) 7.5 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 9.5 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split Gate Trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density

Другие MOSFET... YJD65G10A , YJD80N03A , YJD80N03B , YJD90N02A , YJG15GP10A , YJG30N06A , YJG40G10A , YJG50N03A , AON7506 , YJG80G06B , YJG85G06AK , YJG90G10A , YJJ09N03A , YJL02N10A , YJL03G10A , YJL03N06A , YJL05N06AL .

History: AON6510 | ZXMN7A11GTA | APT12057JLL | OM6104ST | OM6027SC | P50B4EA | TTD18P10AT

 

 
Back to Top

 


 
.