YJG70G06A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJG70G06A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: PDFN5060-8L

Аналог (замена) для YJG70G06A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJG70G06A даташит

 ..1. Size:912K  cn yangzhou yangjie elec
 yjg70g06a.pdf pdf_icon

YJG70G06A

RoHS COMPLIANT YJG70G06A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 70A D R ( at V =10V) 7.5 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 9.5 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split Gate Trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density

Другие IGBT... YJD65G10A, YJD80N03A, YJD80N03B, YJD90N02A, YJG15GP10A, YJG30N06A, YJG40G10A, YJG50N03A, IRFB3607, YJG80G06B, YJG85G06AK, YJG90G10A, YJJ09N03A, YJL02N10A, YJL03G10A, YJL03N06A, YJL05N06AL