YJG80G06B Todos los transistores

 

YJG80G06B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJG80G06B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 37.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 780 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060
     - Selección de transistores por parámetros

 

YJG80G06B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1262K  cn yangzhou yangjie elec
 yjg80g06b.pdf pdf_icon

YJG80G06B

RoHS COMPLIANT YJG80G06B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary VDS 60V ID 80A RDS(ON)( at VGS=10V) 4.2 mohm RDS(ON)( at VGS=4.5V) 5.2 mohm 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split Gate Trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for

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History: PMN50UPE | KUK7606-55A | 2SJ362 | 2N7089

 

 
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