Справочник MOSFET. YJG80G06B

 

YJG80G06B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJG80G06B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060
 

 Аналог (замена) для YJG80G06B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJG80G06B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1262K  cn yangzhou yangjie elec
 yjg80g06b.pdf pdf_icon

YJG80G06B

RoHS COMPLIANT YJG80G06B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary VDS 60V ID 80A RDS(ON)( at VGS=10V) 4.2 mohm RDS(ON)( at VGS=4.5V) 5.2 mohm 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split Gate Trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for

Другие MOSFET... YJD80N03A , YJD80N03B , YJD90N02A , YJG15GP10A , YJG30N06A , YJG40G10A , YJG50N03A , YJG70G06A , IRLZ44N , YJG85G06AK , YJG90G10A , YJJ09N03A , YJL02N10A , YJL03G10A , YJL03N06A , YJL05N06AL , YJL07P03AL .

History: PB5A2BX | NTMFS5C456NL | FHD4N65E | P7006BL | 2N7002SESGP

 

 
Back to Top

 


 
.