Справочник MOSFET. YJG80G06B

 

YJG80G06B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: YJG80G06B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 66 nC
   trⓘ - Время нарастания: 37.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060

 Аналог (замена) для YJG80G06B

 

 

YJG80G06B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1262K  cn yangzhou yangjie elec
 yjg80g06b.pdf

YJG80G06B YJG80G06B

RoHS COMPLIANT YJG80G06B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary VDS 60V ID 80A RDS(ON)( at VGS=10V) 4.2 mohm RDS(ON)( at VGS=4.5V) 5.2 mohm 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split Gate Trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top