YJG85G06AK MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: YJG85G06AK

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0037 Ohm

Encapsulados: PDFN5060

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YJG85G06AK datasheet

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YJG85G06AK

RoHS COMPLIANT YJG85G06AK N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary VDS 60V ID 85A RDS(ON)( at VGS=10V) 3.7 mohm RDS(ON)( at VGS=4.5V) 5.0 mohm 100% UIS Tested 100% VDS Tested ESD Protected up to 2.0KV(HBM) General Description Split Gate Trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipat

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