YJG85G06AK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: YJG85G06AK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 110 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 85 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tiempo de subida (tr): 55.2 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 850 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0037 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060

Búsqueda de reemplazo de MOSFET YJG85G06AK

YJG85G06AK Datasheet (PDF)

..1. Size:1148K cn yangzhou yangjie elec
yjg85g06ak.pdf

RoHS COMPLIANT YJG85G06AK N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary VDS 60V ID 85A RDS(ON)( at VGS=10V) 3.7 mohm RDS(ON)( at VGS=4.5V) 5.0 mohm 100% UIS Tested 100% VDS Tested ESD Protected up to 2.0KV(HBM) General Description Split Gate Trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipat

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: