Справочник MOSFET. YJG85G06AK

 

YJG85G06AK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJG85G06AK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060
 

 Аналог (замена) для YJG85G06AK

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJG85G06AK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1148K  cn yangzhou yangjie elec
 yjg85g06ak.pdf pdf_icon

YJG85G06AK

RoHS COMPLIANT YJG85G06AK N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary VDS 60V ID 85A RDS(ON)( at VGS=10V) 3.7 mohm RDS(ON)( at VGS=4.5V) 5.0 mohm 100% UIS Tested 100% VDS Tested ESD Protected up to 2.0KV(HBM) General Description Split Gate Trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipat

Другие MOSFET... YJD80N03B , YJD90N02A , YJG15GP10A , YJG30N06A , YJG40G10A , YJG50N03A , YJG70G06A , YJG80G06B , AO4407 , YJG90G10A , YJJ09N03A , YJL02N10A , YJL03G10A , YJL03N06A , YJL05N06AL , YJL07P03AL , YJL2101W .

History: AOD9N40 | IPD082N10N3G | AM40P10-200P | IRFH8330 | CS10N65FA9HD | SCH1333 | 8N65KL-TF3T-T

 

 
Back to Top

 


 
.