YJJ09N03A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: YJJ09N03A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 201 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: SOT23-6L

 Búsqueda de reemplazo de YJJ09N03A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

YJJ09N03A datasheet

 ..1. Size:1245K  cn yangzhou yangjie elec
 yjj09n03a.pdf pdf_icon

YJJ09N03A

RoHS COMPLIANT YJJ09N03A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 9A D R ( at V = 10V) 15mohm DS(ON) GS R ( at V = 4.5V) 18mohm DS(ON) GS General Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for low R DS(ON) High Speed switching Applications Battery protection

Otros transistores... YJG15GP10A, YJG30N06A, YJG40G10A, YJG50N03A, YJG70G06A, YJG80G06B, YJG85G06AK, YJG90G10A, NCEP15T14, YJL02N10A, YJL03G10A, YJL03N06A, YJL05N06AL, YJL07P03AL, YJL2101W, YJL2102W, YJL2300A