YJJ09N03A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJJ09N03A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 201 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6L

Аналог (замена) для YJJ09N03A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJJ09N03A даташит

 ..1. Size:1245K  cn yangzhou yangjie elec
 yjj09n03a.pdf pdf_icon

YJJ09N03A

RoHS COMPLIANT YJJ09N03A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 9A D R ( at V = 10V) 15mohm DS(ON) GS R ( at V = 4.5V) 18mohm DS(ON) GS General Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for low R DS(ON) High Speed switching Applications Battery protection

Другие IGBT... YJG15GP10A, YJG30N06A, YJG40G10A, YJG50N03A, YJG70G06A, YJG80G06B, YJG85G06AK, YJG90G10A, NCEP15T14, YJL02N10A, YJL03G10A, YJL03N06A, YJL05N06AL, YJL07P03AL, YJL2101W, YJL2102W, YJL2300A