Справочник MOSFET. YJJ09N03A

 

YJJ09N03A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJJ09N03A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 201 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
 

 Аналог (замена) для YJJ09N03A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJJ09N03A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1245K  cn yangzhou yangjie elec
 yjj09n03a.pdf pdf_icon

YJJ09N03A

RoHS COMPLIANT YJJ09N03A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 9A D R ( at V = 10V) 15mohm DS(ON) GS R ( at V = 4.5V) 18mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for low R DS(ON) High Speed switching Applications Battery protection

Другие MOSFET... YJG15GP10A , YJG30N06A , YJG40G10A , YJG50N03A , YJG70G06A , YJG80G06B , YJG85G06AK , YJG90G10A , IRFP450 , YJL02N10A , YJL03G10A , YJL03N06A , YJL05N06AL , YJL07P03AL , YJL2101W , YJL2102W , YJL2300A .

History: STL2N80K5 | NTD5414NT4G | AP4024EYT | BL13N25-A | SIE832DF | QM4306S | DMN6040SK3

 

 
Back to Top

 


 
.