YJL02N10A Todos los transistores

 

YJL02N10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJL02N10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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YJL02N10A Datasheet (PDF)

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YJL02N10A

RoHS COMPLIANT YJL02N10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 2.0A D R ( at V =10V) 280 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 310 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low RDS(ON) MSL LEVEL1

Otros transistores... YJG30N06A , YJG40G10A , YJG50N03A , YJG70G06A , YJG80G06B , YJG85G06AK , YJG90G10A , YJJ09N03A , IRFP250 , YJL03G10A , YJL03N06A , YJL05N06AL , YJL07P03AL , YJL2101W , YJL2102W , YJL2300A , YJL2301C .

History: SUM110N04-04 | AP4501AGEM-HF | GP2M007A065XG | AP6N1R7CDT | SPI21N50C3 | NTB25P06G | VP3203N3

 

 
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