YJL02N10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: YJL02N10A
   Código: 1002.
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 5.3 nC
   Tiempo de subida (tr): 54 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 88 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

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YJL02N10A Datasheet (PDF)

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yjl02n10a.pdf

RoHS COMPLIANT YJL02N10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 2.0A D R ( at V =10V) 280 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 310 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low RDS(ON) MSL LEVEL1

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Liste

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