Справочник MOSFET. YJL02N10A

 

YJL02N10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJL02N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для YJL02N10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJL02N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:589K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl02n10a.pdf pdf_icon

YJL02N10A

RoHS COMPLIANT YJL02N10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 2.0A D R ( at V =10V) 280 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 310 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low RDS(ON) MSL LEVEL1

Другие MOSFET... YJG30N06A , YJG40G10A , YJG50N03A , YJG70G06A , YJG80G06B , YJG85G06AK , YJG90G10A , YJJ09N03A , IRFP250 , YJL03G10A , YJL03N06A , YJL05N06AL , YJL07P03AL , YJL2101W , YJL2102W , YJL2300A , YJL2301C .

History: NTB18N06G | IRF034 | BUK9K35-60E

 

 
Back to Top

 


 
.