YJL02N10A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: YJL02N10A
Маркировка: 1002.
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 5.3 nC
Время нарастания (tr): 54 ns
Выходная емкость (Cd): 88 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.28 Ohm
Тип корпуса: SOT23
YJL02N10A Datasheet (PDF)
..1. Size:589K cn yangzhou yangjie elec
yjl02n10a.pdf
yjl02n10a.pdf
RoHS COMPLIANT YJL02N10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 2.0A D R ( at V =10V) 280 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 310 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low RDS(ON) MSL LEVEL1
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
