YJL03G10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: YJL03G10A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 3.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 29 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.14 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET YJL03G10A
YJL03G10A Datasheet (PDF)
yjl03g10a.pdf
RoHS COMPLIANT YJL03G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 3.0A D R ( at V =10V) 140 mohm DS(ON) GSGeneral Description Low R & FOM DS(on) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity Fast switching and soft recovery Applications Consumer electronic power supply
yjl03n06a.pdf
RoHS COMPLIANT YJL03N06A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 3.0A D R ( at V =10V) 100 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 120 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low R DS(ON)Applications
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