YJL03G10A Todos los transistores

 

YJL03G10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJL03G10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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YJL03G10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:732K  cn yangzhou yangjie elec
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YJL03G10A

RoHS COMPLIANT YJL03G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 3.0A D R ( at V =10V) 140 mohm DS(ON) GSGeneral Description Low R & FOM DS(on) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity Fast switching and soft recovery Applications Consumer electronic power supply

 9.1. Size:583K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl03n06a.pdf pdf_icon

YJL03G10A

RoHS COMPLIANT YJL03N06A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 3.0A D R ( at V =10V) 100 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 120 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low R DS(ON)Applications

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History: IRF3415PBF | DMTH6004SCTB | 2SK529 | IRFSL3306PBF | BLP039N08-P | HIRF740 | SM1A02NSF

 

 
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