Справочник MOSFET. YJL03G10A

 

YJL03G10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJL03G10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

YJL03G10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:732K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl03g10a.pdf pdf_icon

YJL03G10A

RoHS COMPLIANT YJL03G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 3.0A D R ( at V =10V) 140 mohm DS(ON) GSGeneral Description Low R & FOM DS(on) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity Fast switching and soft recovery Applications Consumer electronic power supply

 9.1. Size:583K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl03n06a.pdf pdf_icon

YJL03G10A

RoHS COMPLIANT YJL03N06A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 3.0A D R ( at V =10V) 100 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 120 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low R DS(ON)Applications

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: KP11N60F | SIHG47N60S | AP6P025I | 9N95 | TK3R3E03GL | STB34NM60N | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.