YJL05N06AL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: YJL05N06AL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm

Encapsulados: SOT23

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YJL05N06AL datasheet

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YJL05N06AL

RoHS COMPLIANT YJL05N06AL N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 5.0A D R ( at V = 10V) 44mohm DS(ON) GS R ( at V = 4.5V) 49mohm DS(ON) GS General Description Trench Power MV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) Applications PWM application Load switch Absolut

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