YJL05N06AL Todos los transistores

 

YJL05N06AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJL05N06AL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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YJL05N06AL Datasheet (PDF)

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YJL05N06AL

RoHS COMPLIANT YJL05N06AL N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 5.0A D R ( at V = 10V) 44mohm DS(ON) GS R ( at V = 4.5V) 49mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON)Applications PWM application Load switch Absolut

Otros transistores... YJG70G06A , YJG80G06B , YJG85G06AK , YJG90G10A , YJJ09N03A , YJL02N10A , YJL03G10A , YJL03N06A , TK10A60D , YJL07P03AL , YJL2101W , YJL2102W , YJL2300A , YJL2301C , YJL2301D , YJL2301F , YJL2301G .

History: TMP5N50 | WM02N08F | FDG313N

 

 
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