YJL05N06AL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: YJL05N06AL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для YJL05N06AL
YJL05N06AL Datasheet (PDF)
yjl05n06al.pdf

RoHS COMPLIANT YJL05N06AL N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 5.0A D R ( at V = 10V) 44mohm DS(ON) GS R ( at V = 4.5V) 49mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON)Applications PWM application Load switch Absolut
Другие MOSFET... YJG70G06A , YJG80G06B , YJG85G06AK , YJG90G10A , YJJ09N03A , YJL02N10A , YJL03G10A , YJL03N06A , IRFZ24N , YJL07P03AL , YJL2101W , YJL2102W , YJL2300A , YJL2301C , YJL2301D , YJL2301F , YJL2301G .
History: IXFH320N10T2 | SRC65R650B | AONR36368 | PV555BA | SM7321ESKP | DH300N08F
History: IXFH320N10T2 | SRC65R650B | AONR36368 | PV555BA | SM7321ESKP | DH300N08F



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sd669 datasheet | c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent