YJL05N06AL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJL05N06AL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для YJL05N06AL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJL05N06AL даташит

 ..1. Size:1256K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl05n06al.pdf pdf_icon

YJL05N06AL

RoHS COMPLIANT YJL05N06AL N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 5.0A D R ( at V = 10V) 44mohm DS(ON) GS R ( at V = 4.5V) 49mohm DS(ON) GS General Description Trench Power MV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) Applications PWM application Load switch Absolut

Другие IGBT... YJG70G06A, YJG80G06B, YJG85G06AK, YJG90G10A, YJJ09N03A, YJL02N10A, YJL03G10A, YJL03N06A, TK10A60D, YJL07P03AL, YJL2101W, YJL2102W, YJL2300A, YJL2301C, YJL2301D, YJL2301F, YJL2301G