YJL07P03AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: YJL07P03AL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 327 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de YJL07P03AL MOSFET
YJL07P03AL Datasheet (PDF)
yjl07p03al.pdf

RoHS COMPLIANT YJL07P03AL P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -7.0A D R ( at V =-10V) 25 mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 36 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed switching Applications Battery prote
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History: AUIRF7736M2TR1 | NTD4804NA-1G
History: AUIRF7736M2TR1 | NTD4804NA-1G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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