YJL07P03AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: YJL07P03AL
Código: 3007.
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.9 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 30 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 327 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
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YJL07P03AL Datasheet (PDF)
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RoHS COMPLIANT YJL07P03AL P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -7.0A D R ( at V =-10V) 25 mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 36 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed switching Applications Battery prote
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History: DMP2120U
