YJL07P03AL Todos los transistores

 

YJL07P03AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJL07P03AL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 327 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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YJL07P03AL Datasheet (PDF)

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YJL07P03AL

RoHS COMPLIANT YJL07P03AL P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -7.0A D R ( at V =-10V) 25 mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 36 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed switching Applications Battery prote

Otros transistores... YJG80G06B , YJG85G06AK , YJG90G10A , YJJ09N03A , YJL02N10A , YJL03G10A , YJL03N06A , YJL05N06AL , P60NF06 , YJL2101W , YJL2102W , YJL2300A , YJL2301C , YJL2301D , YJL2301F , YJL2301G , YJL2302A .

History: H4N60U | APL602LG | NVD3055L170 | IXTK140N20P | APQ12SN60A | SML2005SMD1 | SIHF7N60E

 

 
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