Справочник MOSFET. YJL07P03AL

 

YJL07P03AL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJL07P03AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 327 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для YJL07P03AL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJL07P03AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:561K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl07p03al.pdf pdf_icon

YJL07P03AL

RoHS COMPLIANT YJL07P03AL P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -7.0A D R ( at V =-10V) 25 mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 36 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed switching Applications Battery prote

Другие MOSFET... YJG80G06B , YJG85G06AK , YJG90G10A , YJJ09N03A , YJL02N10A , YJL03G10A , YJL03N06A , YJL05N06AL , P60NF06 , YJL2101W , YJL2102W , YJL2300A , YJL2301C , YJL2301D , YJL2301F , YJL2301G , YJL2302A .

History: DMT6009LFG | RQ6E050AT | APT40M70B2VFRG | IXFH100N25P | IXFV26N50P | OSG60R092HT3ZF | 2SK3365

 

 
Back to Top

 


 
.