YJL07P03AL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJL07P03AL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 327 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для YJL07P03AL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJL07P03AL даташит

 ..1. Size:561K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl07p03al.pdf pdf_icon

YJL07P03AL

RoHS COMPLIANT YJL07P03AL P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -7.0A D R ( at V =-10V) 25 mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 36 mohm DS(ON) GS General Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed switching Applications Battery prote

Другие IGBT... YJG80G06B, YJG85G06AK, YJG90G10A, YJJ09N03A, YJL02N10A, YJL03G10A, YJL03N06A, YJL05N06AL, AO4407, YJL2101W, YJL2102W, YJL2300A, YJL2301C, YJL2301D, YJL2301F, YJL2301G, YJL2302A