YJL2101W MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: YJL2101W

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 47 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: SOT323

 Búsqueda de reemplazo de YJL2101W MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

YJL2101W datasheet

 ..1. Size:424K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl2101w.pdf pdf_icon

YJL2101W

RoHS COMPLIANT YJL2101W P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -2.0A D R ( at V =-4.5V) 130 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 170 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 250 mohm DS(ON) GS General Description Trench Power LV MOSFET technology Low R DS(ON) Low Gate Charge Applications

 8.1. Size:758K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl2102w.pdf pdf_icon

YJL2101W

RoHS COMPLIANT YJL2102W N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 3.0A D R ( at V =4.5V) 70 mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 98 mohm DS(ON) GS General Description Trench Power LV MOSFET technology High Power and current handing capability Applications PWM application Load switch Absolute Ma

Otros transistores... YJG85G06AK, YJG90G10A, YJJ09N03A, YJL02N10A, YJL03G10A, YJL03N06A, YJL05N06AL, YJL07P03AL, BS170, YJL2102W, YJL2300A, YJL2301C, YJL2301D, YJL2301F, YJL2301G, YJL2302A, YJL2302B