YJL2101W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: YJL2101W
   Código: TS1.
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 47 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323

Búsqueda de reemplazo de MOSFET YJL2101W

YJL2101W Datasheet (PDF)

..1. Size:424K cn yangzhou yangjie elec
yjl2101w.pdf

RoHS COMPLIANT YJL2101W P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -2.0A D R ( at V =-4.5V) 130 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 170 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 250 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology Low R DS(ON) Low Gate Charge Applications

8.1. Size:758K cn yangzhou yangjie elec
yjl2102w.pdf

RoHS COMPLIANT YJL2102W N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 3.0A D R ( at V =4.5V) 70 mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 98 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High Power and current handing capability Applications PWM application Load switch Absolute Ma

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Liste

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