YJL2101W - аналоги и даташиты транзистора

 

YJL2101W - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: YJL2101W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: SOT323
 

 Аналог (замена) для YJL2101W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJL2101W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:424K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl2101w.pdf pdf_icon

YJL2101W

RoHS COMPLIANT YJL2101W P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -2.0A D R ( at V =-4.5V) 130 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 170 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 250 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology Low R DS(ON) Low Gate Charge Applications

 8.1. Size:758K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl2102w.pdf pdf_icon

YJL2101W

RoHS COMPLIANT YJL2102W N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 3.0A D R ( at V =4.5V) 70 mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 98 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High Power and current handing capability Applications PWM application Load switch Absolute Ma

Другие MOSFET... YJG85G06AK , YJG90G10A , YJJ09N03A , YJL02N10A , YJL03G10A , YJL03N06A , YJL05N06AL , YJL07P03AL , BS170 , YJL2102W , YJL2300A , YJL2301C , YJL2301D , YJL2301F , YJL2301G , YJL2302A , YJL2302B .

History: IPA90R340C3 | YJL02N10A

 

 
Back to Top

 


 
.