YJL2101W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJL2101W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: SOT323

Аналог (замена) для YJL2101W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJL2101W даташит

 ..1. Size:424K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl2101w.pdf pdf_icon

YJL2101W

RoHS COMPLIANT YJL2101W P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -2.0A D R ( at V =-4.5V) 130 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 170 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 250 mohm DS(ON) GS General Description Trench Power LV MOSFET technology Low R DS(ON) Low Gate Charge Applications

 8.1. Size:758K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl2102w.pdf pdf_icon

YJL2101W

RoHS COMPLIANT YJL2102W N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 3.0A D R ( at V =4.5V) 70 mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 98 mohm DS(ON) GS General Description Trench Power LV MOSFET technology High Power and current handing capability Applications PWM application Load switch Absolute Ma

Другие IGBT... YJG85G06AK, YJG90G10A, YJJ09N03A, YJL02N10A, YJL03G10A, YJL03N06A, YJL05N06AL, YJL07P03AL, BS170, YJL2102W, YJL2300A, YJL2301C, YJL2301D, YJL2301F, YJL2301G, YJL2302A, YJL2302B