YJL2102W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: YJL2102W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.25 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 10 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tiempo de subida (tr): 57 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 34 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323

Búsqueda de reemplazo de MOSFET YJL2102W

YJL2102W Datasheet (PDF)

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yjl2102w.pdf

RoHS COMPLIANT YJL2102W N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 3.0A D R ( at V =4.5V) 70 mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 98 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High Power and current handing capability Applications PWM application Load switch Absolute Ma

8.1. Size:424K cn yangzhou yangjie elec
yjl2101w.pdf

RoHS COMPLIANT YJL2101W P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -2.0A D R ( at V =-4.5V) 130 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 170 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 250 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology Low R DS(ON) Low Gate Charge Applications

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Liste

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