YJL2102W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJL2102W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: SOT323

Аналог (замена) для YJL2102W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJL2102W даташит

 ..1. Size:758K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl2102w.pdf pdf_icon

YJL2102W

RoHS COMPLIANT YJL2102W N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 3.0A D R ( at V =4.5V) 70 mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 98 mohm DS(ON) GS General Description Trench Power LV MOSFET technology High Power and current handing capability Applications PWM application Load switch Absolute Ma

 8.1. Size:424K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl2101w.pdf pdf_icon

YJL2102W

RoHS COMPLIANT YJL2101W P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -2.0A D R ( at V =-4.5V) 130 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 170 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 250 mohm DS(ON) GS General Description Trench Power LV MOSFET technology Low R DS(ON) Low Gate Charge Applications

Другие IGBT... YJG90G10A, YJJ09N03A, YJL02N10A, YJL03G10A, YJL03N06A, YJL05N06AL, YJL07P03AL, YJL2101W, 4N60, YJL2300A, YJL2301C, YJL2301D, YJL2301F, YJL2301G, YJL2302A, YJL2302B, YJL2303A