YJL3407A Todos los transistores

 

YJL3407A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJL3407A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 61 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 98 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de YJL3407A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

YJL3407A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:706K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl3407a.pdf pdf_icon

YJL3407A

RoHS COMPLIANT YJL3407A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -4.1A D R ( at V =-10V) 55 mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 68 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed switching Applications Battery protect

 8.1. Size:642K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl3401a.pdf pdf_icon

YJL3407A

RoHS COMPLIANT YJL3401A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -4.4A D R ( at V =-10V) 55 mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 68 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 96 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed s

 8.2. Size:578K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl3404a.pdf pdf_icon

YJL3407A

RoHS COMPLIANT YJL3404A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 5.6A D R ( at V =10V) 29 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 40 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for low R DS(ON) High Speed switching Applications Battery protection

 8.3. Size:574K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl3400a.pdf pdf_icon

YJL3407A

RoHS COMPLIANT YJL3400A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 5.6A D R ( at V =10V) 27 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 33 mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 51 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for low R DS(ON) High Speed switch

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... YJL2312AL , YJL3134K , YJL3134KW , YJL3139KDW , YJL3139KT , YJL3400A , YJL3401A , YJL3404A , IRFZ48N , YJL3415A , YJL3416A , YJP150N06AQ , YJP200G06A , YJP70G10A , YJQ20N04A , YJQ30N03A , YJQ3400A .

History: SPB16N50C3 | 2P7154VC | APT8043BFLLG

 

 
Back to Top

 


 
.