Справочник MOSFET. YJL3407A

 

YJL3407A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: YJL3407A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 61 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для YJL3407A

 

 

YJL3407A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:706K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl3407a.pdf

YJL3407A YJL3407A

RoHS COMPLIANT YJL3407A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -4.1A D R ( at V =-10V) 55 mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 68 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed switching Applications Battery protect

 8.1. Size:642K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl3401a.pdf

YJL3407A YJL3407A

RoHS COMPLIANT YJL3401A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -4.4A D R ( at V =-10V) 55 mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 68 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 96 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed s

 8.2. Size:578K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl3404a.pdf

YJL3407A YJL3407A

RoHS COMPLIANT YJL3404A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 5.6A D R ( at V =10V) 29 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 40 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for low R DS(ON) High Speed switching Applications Battery protection

 8.3. Size:574K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl3400a.pdf

YJL3407A YJL3407A

RoHS COMPLIANT YJL3400A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 5.6A D R ( at V =10V) 27 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 33 mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 51 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for low R DS(ON) High Speed switch

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top