YJP70G10A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: YJP70G10A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 797 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm

Encapsulados: TO220

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YJP70G10A datasheet

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YJP70G10A

RoHS COMPLIANT YJP70G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 70A D R ( at V =10V) 8.6 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 11 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Low R & FOM DS(on) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity

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