YJP70G10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: YJP70G10A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 70 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 32 nC
Tiempo de subida (tr): 14.4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 797 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0086 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET YJP70G10A
YJP70G10A Datasheet (PDF)
yjp70g10a.pdf
RoHS COMPLIANT YJP70G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 70A D R ( at V =10V) 8.6 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 11 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Low R & FOM DS(on) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .