YJP70G10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: YJP70G10A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 797 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de YJP70G10A MOSFET
YJP70G10A Datasheet (PDF)
yjp70g10a.pdf

RoHS COMPLIANT YJP70G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 70A D R ( at V =10V) 8.6 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 11 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Low R & FOM DS(on) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity
Otros transistores... YJL3400A , YJL3401A , YJL3404A , YJL3407A , YJL3415A , YJL3416A , YJP150N06AQ , YJP200G06A , IRF1405 , YJQ20N04A , YJQ30N03A , YJQ3400A , YJQ3415A , YJQ35N04A , YJQ40G10A , YJQ40P03A , YJQ4666B .



Liste
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