YJP70G10A Todos los transistores

 

YJP70G10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJP70G10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 797 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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YJP70G10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1568K  cn yangzhou yangjie elec
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YJP70G10A

RoHS COMPLIANT YJP70G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 70A D R ( at V =10V) 8.6 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 11 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Low R & FOM DS(on) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity

Otros transistores... YJL3400A , YJL3401A , YJL3404A , YJL3407A , YJL3415A , YJL3416A , YJP150N06AQ , YJP200G06A , IRF1405 , YJQ20N04A , YJQ30N03A , YJQ3400A , YJQ3415A , YJQ35N04A , YJQ40G10A , YJQ40P03A , YJQ4666B .

History: HTD1K5N10 | QM3014M6 | BL7N60A-D

 

 
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