Справочник MOSFET. YJP70G10A

 

YJP70G10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJP70G10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 797 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0086 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для YJP70G10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJP70G10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1568K  cn yangzhou yangjie elec
 yjp70g10a.pdf pdf_icon

YJP70G10A

RoHS COMPLIANT YJP70G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 70A D R ( at V =10V) 8.6 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 11 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Low R & FOM DS(on) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity

Другие MOSFET... YJL3400A , YJL3401A , YJL3404A , YJL3407A , YJL3415A , YJL3416A , YJP150N06AQ , YJP200G06A , IRF1405 , YJQ20N04A , YJQ30N03A , YJQ3400A , YJQ3415A , YJQ35N04A , YJQ40G10A , YJQ40P03A , YJQ4666B .

History: INK0102AM1 | 2SK2185

 

 
Back to Top

 


 
.