YJQ20N04A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: YJQ20N04A
   Código: Q20N04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 23.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 128 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3

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YJQ20N04A Datasheet (PDF)

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yjq20n04a.pdf

RoHS COMPLIANT YJQ20N04A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 40 V DS I 20 A D R ( at V = 10V) 14.0 mohm DS(ON) GS R ( at V = 4.5V) 18.5 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High dens

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Liste

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