YJQ20N04A Todos los transistores

 

YJQ20N04A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJQ20N04A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 128 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3
     - Selección de transistores por parámetros

 

YJQ20N04A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1216K  cn yangzhou yangjie elec
 yjq20n04a.pdf pdf_icon

YJQ20N04A

RoHS COMPLIANT YJQ20N04A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 40 V DS I 20 A D R ( at V = 10V) 14.0 mohm DS(ON) GS R ( at V = 4.5V) 18.5 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High dens

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: P9006EDA | 2N60L-TF3-T | RTU002P02 | BL30N60-F | KP746B | BUZ900P | MCH6412

 

 
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