YJQ20N04A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: YJQ20N04A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 128 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: DFN3.3X3.3
Аналог (замена) для YJQ20N04A
YJQ20N04A Datasheet (PDF)
yjq20n04a.pdf
RoHS COMPLIANT YJQ20N04A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 40 V DS I 20 A D R ( at V = 10V) 14.0 mohm DS(ON) GS R ( at V = 4.5V) 18.5 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High dens
Другие MOSFET... YJL3401A , YJL3404A , YJL3407A , YJL3415A , YJL3416A , YJP150N06AQ , YJP200G06A , YJP70G10A , IRLB3034 , YJQ30N03A , YJQ3400A , YJQ3415A , YJQ35N04A , YJQ40G10A , YJQ40P03A , YJQ4666B , YJQ55P02A .
History: JCS10N65BT | ME7114S-G | MESS84
History: JCS10N65BT | ME7114S-G | MESS84
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810


