YJQ3415A Todos los transistores

 

YJQ3415A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJQ3415A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2020-6L
 

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YJQ3415A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1058K  cn yangzhou yangjie elec
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YJQ3415A

RoHS COMPLIANT YJQ3415A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -6.2A D R ( at V =-4.5V) 42 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 55 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 100 mohm DS(ON) GS ESD Protected Up to 4.0KV (HBM) General Description Trench Power LV MOSFET technology High Density Cell Des

 9.1. Size:1312K  cn yangzhou yangjie elec
 yjq3400a.pdf pdf_icon

YJQ3415A

RoHS COMPLIANT YJQ3400A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 7.7A D R ( at V =10V) 23mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 29mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 43mohm DS(ON) GS 100% V Tested DSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for low R DS(ON

Otros transistores... YJL3415A , YJL3416A , YJP150N06AQ , YJP200G06A , YJP70G10A , YJQ20N04A , YJQ30N03A , YJQ3400A , EMB04N03H , YJQ35N04A , YJQ40G10A , YJQ40P03A , YJQ4666B , YJQ55P02A , YJQ62G06A , YJQD30P02A , YJS03N10A .

History: BUK9Y12-40E | IRFP240

 

 
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