Справочник MOSFET. YJQ3415A

 

YJQ3415A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJQ3415A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020-6L
 

 Аналог (замена) для YJQ3415A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJQ3415A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1058K  cn yangzhou yangjie elec
 yjq3415a.pdf pdf_icon

YJQ3415A

RoHS COMPLIANT YJQ3415A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -6.2A D R ( at V =-4.5V) 42 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 55 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 100 mohm DS(ON) GS ESD Protected Up to 4.0KV (HBM) General Description Trench Power LV MOSFET technology High Density Cell Des

 9.1. Size:1312K  cn yangzhou yangjie elec
 yjq3400a.pdf pdf_icon

YJQ3415A

RoHS COMPLIANT YJQ3400A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 7.7A D R ( at V =10V) 23mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 29mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 43mohm DS(ON) GS 100% V Tested DSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for low R DS(ON

Другие MOSFET... YJL3415A , YJL3416A , YJP150N06AQ , YJP200G06A , YJP70G10A , YJQ20N04A , YJQ30N03A , YJQ3400A , EMB04N03H , YJQ35N04A , YJQ40G10A , YJQ40P03A , YJQ4666B , YJQ55P02A , YJQ62G06A , YJQD30P02A , YJS03N10A .

History: AUIRF7207Q | 2N06L09B | WMK36N65C4 | AM1925PE | UPA1919 | HUF76009D3ST | R6015ANZ

 

 
Back to Top

 


 
.