Справочник MOSFET. YJQ3415A

 

YJQ3415A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: YJQ3415A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 36.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020-6L

 Аналог (замена) для YJQ3415A

 

 

YJQ3415A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1058K  cn yangzhou yangjie elec
 yjq3415a.pdf

YJQ3415A YJQ3415A

RoHS COMPLIANT YJQ3415A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -6.2A D R ( at V =-4.5V) 42 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 55 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 100 mohm DS(ON) GS ESD Protected Up to 4.0KV (HBM) General Description Trench Power LV MOSFET technology High Density Cell Des

 9.1. Size:1312K  cn yangzhou yangjie elec
 yjq3400a.pdf

YJQ3415A YJQ3415A

RoHS COMPLIANT YJQ3400A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 7.7A D R ( at V =10V) 23mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 29mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 43mohm DS(ON) GS 100% V Tested DSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for low R DS(ON

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top