YJQ3415A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJQ3415A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm

Тип корпуса: DFN2020-6L

Аналог (замена) для YJQ3415A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJQ3415A даташит

 ..1. Size:1058K  cn yangzhou yangjie elec
 yjq3415a.pdf pdf_icon

YJQ3415A

RoHS COMPLIANT YJQ3415A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -6.2A D R ( at V =-4.5V) 42 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 55 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 100 mohm DS(ON) GS ESD Protected Up to 4.0KV (HBM) General Description Trench Power LV MOSFET technology High Density Cell Des

 9.1. Size:1312K  cn yangzhou yangjie elec
 yjq3400a.pdf pdf_icon

YJQ3415A

RoHS COMPLIANT YJQ3400A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 7.7A D R ( at V =10V) 23mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 29mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 43mohm DS(ON) GS 100% V Tested DS General Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for low R DS(ON

Другие IGBT... YJL3415A, YJL3416A, YJP150N06AQ, YJP200G06A, YJP70G10A, YJQ20N04A, YJQ30N03A, YJQ3400A, AON7403, YJQ35N04A, YJQ40G10A, YJQ40P03A, YJQ4666B, YJQ55P02A, YJQ62G06A, YJQD30P02A, YJS03N10A