YJQ35N04A Todos los transistores

 

YJQ35N04A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJQ35N04A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 256 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3
 

 Búsqueda de reemplazo de YJQ35N04A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

YJQ35N04A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:654K  cn yangzhou yangjie elec
 yjq35n04a.pdf pdf_icon

YJQ35N04A

RoHS COMPLIANT YJQ35N04A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 40 V DS I 35 A D R ( at V = 10V) 8.0mohm DS(ON) GS R ( at V = 4.5V) 13mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density c

Otros transistores... YJL3416A , YJP150N06AQ , YJP200G06A , YJP70G10A , YJQ20N04A , YJQ30N03A , YJQ3400A , YJQ3415A , IRFZ48N , YJQ40G10A , YJQ40P03A , YJQ4666B , YJQ55P02A , YJQ62G06A , YJQD30P02A , YJS03N10A , YJS10N04A .

History: SFS06R02DF | IRFPC50A | HD60N03 | TK28A65W | SRT10N160LD56 | H4N60D

 

 
Back to Top

 


 
.