YJQ35N04A Todos los transistores

 

YJQ35N04A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJQ35N04A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 256 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3
 

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YJQ35N04A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:654K  cn yangzhou yangjie elec
 yjq35n04a.pdf pdf_icon

YJQ35N04A

RoHS COMPLIANT YJQ35N04A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 40 V DS I 35 A D R ( at V = 10V) 8.0mohm DS(ON) GS R ( at V = 4.5V) 13mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density c

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History: DMN1033UCB4 | HM2015DN03Q | PSMN8R7-100YSF | AP5600N | 7N80L-TQ2-T | 2N7002BKV | 2SK1727

 

 
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