YJQ35N04A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJQ35N04A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 256 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3

Аналог (замена) для YJQ35N04A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJQ35N04A даташит

 ..1. Size:654K  cn yangzhou yangjie elec
 yjq35n04a.pdf pdf_icon

YJQ35N04A

RoHS COMPLIANT YJQ35N04A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 40 V DS I 35 A D R ( at V = 10V) 8.0mohm DS(ON) GS R ( at V = 4.5V) 13mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density c

Другие IGBT... YJL3416A, YJP150N06AQ, YJP200G06A, YJP70G10A, YJQ20N04A, YJQ30N03A, YJQ3400A, YJQ3415A, K2611, YJQ40G10A, YJQ40P03A, YJQ4666B, YJQ55P02A, YJQ62G06A, YJQD30P02A, YJS03N10A, YJS10N04A