YJQ40G10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: YJQ40G10A
   Código: Q40G10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 399 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0185 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET YJQ40G10A

YJQ40G10A Datasheet (PDF)

..1. Size:1419K cn yangzhou yangjie elec
yjq40g10a.pdf

RoHS COMPLIANT YJQ40G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 40A D R ( at V =10V) 18.5 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 22.5 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split gate trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High densit

9.1. Size:684K cn yangzhou yangjie elec
yjq40p03a.pdf

RoHS COMPLIANT YJQ40P03A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -40A D R ( at V =-20V) 13mohm DS(ON) GS R ( at V =-10V) 15mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 25mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed switc

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: