Справочник MOSFET. YJQ40G10A

 

YJQ40G10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJQ40G10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 399 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0185 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

YJQ40G10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1419K  cn yangzhou yangjie elec
 yjq40g10a.pdf pdf_icon

YJQ40G10A

RoHS COMPLIANT YJQ40G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 40A D R ( at V =10V) 18.5 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 22.5 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split gate trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High densit

 9.1. Size:684K  cn yangzhou yangjie elec
 yjq40p03a.pdf pdf_icon

YJQ40G10A

RoHS COMPLIANT YJQ40P03A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -40A D R ( at V =-20V) 13mohm DS(ON) GS R ( at V =-10V) 15mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 25mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed switc

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRLI640GPBF | HSU4006

 

 
Back to Top

 


 
.