YJQ40G10A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJQ40G10A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 399 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0185 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3

Аналог (замена) для YJQ40G10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJQ40G10A даташит

 ..1. Size:1419K  cn yangzhou yangjie elec
 yjq40g10a.pdf pdf_icon

YJQ40G10A

RoHS COMPLIANT YJQ40G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 40A D R ( at V =10V) 18.5 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 22.5 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split gate trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High densit

 9.1. Size:684K  cn yangzhou yangjie elec
 yjq40p03a.pdf pdf_icon

YJQ40G10A

RoHS COMPLIANT YJQ40P03A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -40A D R ( at V =-20V) 13mohm DS(ON) GS R ( at V =-10V) 15mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 25mohm DS(ON) GS General Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed switc

Другие IGBT... YJP150N06AQ, YJP200G06A, YJP70G10A, YJQ20N04A, YJQ30N03A, YJQ3400A, YJQ3415A, YJQ35N04A, EMB04N03H, YJQ40P03A, YJQ4666B, YJQ55P02A, YJQ62G06A, YJQD30P02A, YJS03N10A, YJS10N04A, YJS12G06D