YJQ4666B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: YJQ4666B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 127 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0365 Ohm

Encapsulados: DFN2X2-6L

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YJQ4666B datasheet

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YJQ4666B

RoHS COMPLIANT YJQ4666B P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -7A D R ( at V =-4.5V) 36.5mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 46.5mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 60.5mohm DS(ON) GS General Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed

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