YJQ4666B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: YJQ4666B
Código: ..G66B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 40.1 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 127 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0365 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN2X2-6L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET YJQ4666B
YJQ4666B Datasheet (PDF)
yjq4666b.pdf
RoHS COMPLIANT YJQ4666B P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -7A D R ( at V =-4.5V) 36.5mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 46.5mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 60.5mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed
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