YJQ4666B Todos los transistores

 

YJQ4666B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJQ4666B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 127 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0365 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2-6L
 

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YJQ4666B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:437K  cn yangzhou yangjie elec
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YJQ4666B

RoHS COMPLIANT YJQ4666B P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -7A D R ( at V =-4.5V) 36.5mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 46.5mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 60.5mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed

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History: UTT30P06G-TA3-T | AP05N50I | SGSP317 | SVD640D | DMT3020LFDF | IMZ120R350M1H | JCS15N70FC

 

 
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