Справочник MOSFET. YJQ4666B

 

YJQ4666B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJQ4666B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 127 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0365 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2-6L
 

 Аналог (замена) для YJQ4666B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJQ4666B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:437K  cn yangzhou yangjie elec
 yjq4666b.pdf pdf_icon

YJQ4666B

RoHS COMPLIANT YJQ4666B P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -7A D R ( at V =-4.5V) 36.5mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 46.5mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 60.5mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed

Другие MOSFET... YJP70G10A , YJQ20N04A , YJQ30N03A , YJQ3400A , YJQ3415A , YJQ35N04A , YJQ40G10A , YJQ40P03A , 2N7002 , YJQ55P02A , YJQ62G06A , YJQD30P02A , YJS03N10A , YJS10N04A , YJS12G06D , YJS2022A , YJS2301A .

History: EFC4630R | LSD60R1K4HT | RHU003N03FRA | 2SK1879 | RU120N15Q | AOB9N70L | CSZ34

 

 
Back to Top

 


 
.