Справочник MOSFET. YJQ4666B

 

YJQ4666B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJQ4666B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 127 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0365 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2-6L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

YJQ4666B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:437K  cn yangzhou yangjie elec
 yjq4666b.pdf pdf_icon

YJQ4666B

RoHS COMPLIANT YJQ4666B P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -7A D R ( at V =-4.5V) 36.5mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 46.5mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 60.5mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: MSW20N50 | KI8810DS | KHB011N40F1 | SI2314 | 2SK4192LS | IRF830ASTRL | BSP75G

 

 
Back to Top

 


 
.