Справочник MOSFET. YJQ4666B

 

YJQ4666B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: YJQ4666B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 127 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0365 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2-6L

 Аналог (замена) для YJQ4666B

 

 

YJQ4666B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:437K  cn yangzhou yangjie elec
 yjq4666b.pdf

YJQ4666B YJQ4666B

RoHS COMPLIANT YJQ4666B P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -7A D R ( at V =-4.5V) 36.5mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 46.5mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 60.5mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top