YJQ55P02A Todos los transistores

 

YJQ55P02A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJQ55P02A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 690 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0083 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3
 

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YJQ55P02A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1186K  cn yangzhou yangjie elec
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YJQ55P02A

RoHS COMPLIANT YJQ55P02A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -55A D R ( at V = -4.5V) 8.3mohm DS(ON) GS R ( at V = -2.5V) 10mohm DS(ON) GS R ( at V = -1.8V) 15mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent p

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History: SVD640STR | FDC796NF077 | R6011ENX | SQM50N04-4M1 | 2N7288H | NCEP025N12LL | HIRF630

 

 
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