Справочник MOSFET. YJQ55P02A

 

YJQ55P02A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJQ55P02A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0083 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для YJQ55P02A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJQ55P02A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1186K  cn yangzhou yangjie elec
 yjq55p02a.pdf pdf_icon

YJQ55P02A

RoHS COMPLIANT YJQ55P02A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -55A D R ( at V = -4.5V) 8.3mohm DS(ON) GS R ( at V = -2.5V) 10mohm DS(ON) GS R ( at V = -1.8V) 15mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent p

Другие MOSFET... YJQ20N04A , YJQ30N03A , YJQ3400A , YJQ3415A , YJQ35N04A , YJQ40G10A , YJQ40P03A , YJQ4666B , HY1906P , YJQ62G06A , YJQD30P02A , YJS03N10A , YJS10N04A , YJS12G06D , YJS2022A , YJS2301A , YJS2308A .

History: RU20T8M7 | XN0NE92 | PSMN017-30EL | STB11NK40Z | SM1A00NSG | STB11NM80T4 | NCEP85T15

 

 
Back to Top

 


 
.