Справочник MOSFET. YJQ55P02A

 

YJQ55P02A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: YJQ55P02A
   Маркировка: Q55P02A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0083 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3

 Аналог (замена) для YJQ55P02A

 

 

YJQ55P02A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1186K  cn yangzhou yangjie elec
 yjq55p02a.pdf

YJQ55P02A YJQ55P02A

RoHS COMPLIANT YJQ55P02A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -55A D R ( at V = -4.5V) 8.3mohm DS(ON) GS R ( at V = -2.5V) 10mohm DS(ON) GS R ( at V = -1.8V) 15mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent p

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 

Back to Top