YJQ62G06A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: YJQ62G06A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 62 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: DFN3333

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YJQ62G06A datasheet

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YJQ62G06A

RoHS COMPLIANT YJQ62G06A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I (Silicon limited) 62A D R ( at V =10V) 7.5 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 10 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split Gate Trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation

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