YJQ62G06A Todos los transistores

 

YJQ62G06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJQ62G06A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 62 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3333
 

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YJQ62G06A Datasheet (PDF)

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 yjq62g06a.pdf pdf_icon

YJQ62G06A

RoHS COMPLIANT YJQ62G06A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I (Silicon limited) 62A D R ( at V =10V) 7.5 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 10 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split Gate Trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation

Otros transistores... YJQ30N03A , YJQ3400A , YJQ3415A , YJQ35N04A , YJQ40G10A , YJQ40P03A , YJQ4666B , YJQ55P02A , AO3407 , YJQD30P02A , YJS03N10A , YJS10N04A , YJS12G06D , YJS2022A , YJS2301A , YJS2308A , YJS3404A .

History: PNMT6N2 | UT2955G | FQD50N06 | PSMN8R5-100PS | 2SJ213 | 2SK1398 | SQM120N04-03

 

 
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