YJQ62G06A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJQ62G06A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: DFN3333

Аналог (замена) для YJQ62G06A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJQ62G06A даташит

 ..1. Size:1007K  cn yangzhou yangjie elec
 yjq62g06a.pdf pdf_icon

YJQ62G06A

RoHS COMPLIANT YJQ62G06A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I (Silicon limited) 62A D R ( at V =10V) 7.5 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 10 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split Gate Trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation

Другие IGBT... YJQ30N03A, YJQ3400A, YJQ3415A, YJQ35N04A, YJQ40G10A, YJQ40P03A, YJQ4666B, YJQ55P02A, AO4407A, YJQD30P02A, YJS03N10A, YJS10N04A, YJS12G06D, YJS2022A, YJS2301A, YJS2308A, YJS3404A