YJQD30P02A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: YJQD30P02A
   Código: Q30P02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 72.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3

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YJQD30P02A Datasheet (PDF)

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yjqd30p02a.pdf

RoHS COMPLIANT YJQD30P02A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary DFN3.3X3.3 V -20V DS I -30A D R ( at V = -4.5V) 19mohm DS(ON) GS R ( at V = -2.5V) 22mohm DS(ON) GS R ( at V = -1.8V) 30mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology High density cell design for Low RDS(ON)

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: