YJQD30P02A Todos los transistores

 

YJQD30P02A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJQD30P02A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3
 

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YJQD30P02A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:427K  cn yangzhou yangjie elec
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YJQD30P02A

RoHS COMPLIANT YJQD30P02A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary DFN3.3X3.3 V -20V DS I -30A D R ( at V = -4.5V) 19mohm DS(ON) GS R ( at V = -2.5V) 22mohm DS(ON) GS R ( at V = -1.8V) 30mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology High density cell design for Low RDS(ON)

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History: IRFS3207PBF | IRFU3709ZC | CS4N60FA9R | R6035KNZ | WMK80R160S | NCEP050N10M | STP6NK60Z

 

 
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