YJQD30P02A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJQD30P02A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3

Аналог (замена) для YJQD30P02A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJQD30P02A даташит

 ..1. Size:427K  cn yangzhou yangjie elec
 yjqd30p02a.pdf pdf_icon

YJQD30P02A

Другие IGBT... YJQ3400A, YJQ3415A, YJQ35N04A, YJQ40G10A, YJQ40P03A, YJQ4666B, YJQ55P02A, YJQ62G06A, 60N06, YJS03N10A, YJS10N04A, YJS12G06D, YJS2022A, YJS2301A, YJS2308A, YJS3404A, YJS4409A