YJQD30P02A - аналоги и даташиты транзистора

 

YJQD30P02A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: YJQD30P02A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для YJQD30P02A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJQD30P02A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:427K  cn yangzhou yangjie elec
 yjqd30p02a.pdf pdf_icon

YJQD30P02A

RoHS COMPLIANT YJQD30P02A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary DFN3.3X3.3 V -20V DS I -30A D R ( at V = -4.5V) 19mohm DS(ON) GS R ( at V = -2.5V) 22mohm DS(ON) GS R ( at V = -1.8V) 30mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology High density cell design for Low RDS(ON)

Другие MOSFET... YJQ3400A , YJQ3415A , YJQ35N04A , YJQ40G10A , YJQ40P03A , YJQ4666B , YJQ55P02A , YJQ62G06A , IRFB7545 , YJS03N10A , YJS10N04A , YJS12G06D , YJS2022A , YJS2301A , YJS2308A , YJS3404A , YJS4409A .

History: IMW65R048M1H | IRC830PBF | PSMN017-30EL | AON7380 | SLD60R650S2 | H5N2505DS | IMW65R072M1H

 

 
Back to Top

 


 
.