YJS03N10A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: YJS03N10A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: SOT23-6L

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YJS03N10A datasheet

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YJS03N10A

RoHS COMPLIANT YJS03N10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 3A D R ( at V =10V) 120 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 140 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power HV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cel

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