YJS03N10A Todos los transistores

 

YJS03N10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJS03N10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L
 

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YJS03N10A Datasheet (PDF)

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YJS03N10A

RoHS COMPLIANT YJS03N10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 3A D R ( at V =10V) 120 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 140 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power HV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cel

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History: KCM3650A | PSMN7R8-120PS | R6011ENX | NCEP025N12LL | YJQ55P02A | SQM50N04-4M1 | HIRF630

 

 
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