Справочник MOSFET. YJS03N10A

 

YJS03N10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJS03N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
 

 Аналог (замена) для YJS03N10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJS03N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:576K  cn yangzhou yangjie elec
 yjs03n10a.pdf pdf_icon

YJS03N10A

RoHS COMPLIANT YJS03N10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 3A D R ( at V =10V) 120 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 140 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power HV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cel

Другие MOSFET... YJQ3415A , YJQ35N04A , YJQ40G10A , YJQ40P03A , YJQ4666B , YJQ55P02A , YJQ62G06A , YJQD30P02A , 5N50 , YJS10N04A , YJS12G06D , YJS2022A , YJS2301A , YJS2308A , YJS3404A , YJS4409A , YJS4606A .

History: APT12060B2VR | BRI7N60 | PNM3FD20V1E | STT3520C | HMS85N95 | IRFU24N15DPBF | RCX080N25

 

 
Back to Top

 


 
.