YJS03N10A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJS03N10A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6L

Аналог (замена) для YJS03N10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJS03N10A даташит

 ..1. Size:576K  cn yangzhou yangjie elec
 yjs03n10a.pdf pdf_icon

YJS03N10A

RoHS COMPLIANT YJS03N10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 3A D R ( at V =10V) 120 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 140 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power HV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cel

Другие IGBT... YJQ3415A, YJQ35N04A, YJQ40G10A, YJQ40P03A, YJQ4666B, YJQ55P02A, YJQ62G06A, YJQD30P02A, IRFP064N, YJS10N04A, YJS12G06D, YJS2022A, YJS2301A, YJS2308A, YJS3404A, YJS4409A, YJS4606A