Справочник MOSFET. YJS03N10A

 

YJS03N10A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: YJS03N10A
   Маркировка: 1003
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 16 nC
   Время нарастания (tr): 5 ns
   Выходная емкость (Cd): 40 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L

 Аналог (замена) для YJS03N10A

 

 

YJS03N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:576K  cn yangzhou yangjie elec
 yjs03n10a.pdf

YJS03N10A YJS03N10A

RoHS COMPLIANT YJS03N10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 3A D R ( at V =10V) 120 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 140 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power HV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cel

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top