YJS10N04A Todos los transistores

 

YJS10N04A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJS10N04A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 128 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

YJS10N04A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1208K  cn yangzhou yangjie elec
 yjs10n04a.pdf pdf_icon

YJS10N04A

RoHS COMPLIANT YJS10N04A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 40 V DS I 10 A D R ( at V = 10V) 15mohm DS(ON) GS R ( at V = 4.5V) 24mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low R DS(ON)Applications

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: TPU50R250C | CTM09N20 | AOI418 | SST176 | 2N4118 | DMP2200UDW | TMD2N65AZ

 

 
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