YJS10N04A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: YJS10N04A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 128 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
YJS10N04A Datasheet (PDF)
yjs10n04a.pdf

RoHS COMPLIANT YJS10N04A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 40 V DS I 10 A D R ( at V = 10V) 15mohm DS(ON) GS R ( at V = 4.5V) 24mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low R DS(ON)Applications
Otros transistores... YJQ35N04A , YJQ40G10A , YJQ40P03A , YJQ4666B , YJQ55P02A , YJQ62G06A , YJQD30P02A , YJS03N10A , IRFP064N , YJS12G06D , YJS2022A , YJS2301A , YJS2308A , YJS3404A , YJS4409A , YJS4606A , YJS8205A .
History: IXFH32N50Q
History: IXFH32N50Q



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