YJS10N04A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: YJS10N04A
   Código: Q10N04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 3 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 23.6 nC
   Tiempo de subida (tr): 56 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 128 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

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YJS10N04A Datasheet (PDF)

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yjs10n04a.pdf

RoHS COMPLIANT YJS10N04A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 40 V DS I 10 A D R ( at V = 10V) 15mohm DS(ON) GS R ( at V = 4.5V) 24mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low R DS(ON)Applications

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Liste

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