Справочник MOSFET. YJS10N04A

 

YJS10N04A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJS10N04A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 128 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для YJS10N04A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJS10N04A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1208K  cn yangzhou yangjie elec
 yjs10n04a.pdf pdf_icon

YJS10N04A

RoHS COMPLIANT YJS10N04A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 40 V DS I 10 A D R ( at V = 10V) 15mohm DS(ON) GS R ( at V = 4.5V) 24mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low R DS(ON)Applications

Другие MOSFET... YJQ35N04A , YJQ40G10A , YJQ40P03A , YJQ4666B , YJQ55P02A , YJQ62G06A , YJQD30P02A , YJS03N10A , IRFP064N , YJS12G06D , YJS2022A , YJS2301A , YJS2308A , YJS3404A , YJS4409A , YJS4606A , YJS8205A .

History: NP55N055SUG | ME04N25-G

 

 
Back to Top

 


 
.