YJS10N04A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJS10N04A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 128 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для YJS10N04A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJS10N04A даташит

 ..1. Size:1208K  cn yangzhou yangjie elec
 yjs10n04a.pdf pdf_icon

YJS10N04A

Другие IGBT... YJQ35N04A, YJQ40G10A, YJQ40P03A, YJQ4666B, YJQ55P02A, YJQ62G06A, YJQD30P02A, YJS03N10A, AO4468, YJS12G06D, YJS2022A, YJS2301A, YJS2308A, YJS3404A, YJS4409A, YJS4606A, YJS8205A