Справочник MOSFET. YJS10N04A

 

YJS10N04A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJS10N04A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 128 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

YJS10N04A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1208K  cn yangzhou yangjie elec
 yjs10n04a.pdf pdf_icon

YJS10N04A

RoHS COMPLIANT YJS10N04A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 40 V DS I 10 A D R ( at V = 10V) 15mohm DS(ON) GS R ( at V = 4.5V) 24mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low R DS(ON)Applications

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: HAT2210R | P0804BD

 

 
Back to Top

 


 
.