YJS12G06D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: YJS12G06D
Código: Q12G06D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 34 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
YJS12G06D Datasheet (PDF)
yjs12g06d.pdf

RoHS COMPLIANT YJS12G06D N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary VDS 60V ID 12A RDS(ON)( at VGS=10V) 8.5 mohm RDS(ON)( at VGS=4.5V) 12 mohm 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split Gate Trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: WSD3030DN
History: WSD3030DN



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHD50N03 | DHD3N90 | DHD3205A | DHD16N06 | DHD100N03B13 | DHD035N04 | DHD015N06 | DHBZ24B31 | DHBSJ7N65 | DHBSJ5N65 | DHBSJ13N65 | DHBSJ11N65 | DHB9Z24 | DHB90N045R | DHB90N03B17 | DHB8290
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