YJS12G06D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: YJS12G06D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: SOP8

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YJS12G06D datasheet

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YJS12G06D

RoHS COMPLIANT YJS12G06D N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary VDS 60V ID 12A RDS(ON)( at VGS=10V) 8.5 mohm RDS(ON)( at VGS=4.5V) 12 mohm 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split Gate Trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for

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