YJS12G06D Todos los transistores

 

YJS12G06D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJS12G06D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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YJS12G06D Datasheet (PDF)

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 yjs12g06d.pdf pdf_icon

YJS12G06D

RoHS COMPLIANT YJS12G06D N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary VDS 60V ID 12A RDS(ON)( at VGS=10V) 8.5 mohm RDS(ON)( at VGS=4.5V) 12 mohm 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split Gate Trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for

Otros transistores... YJQ40G10A , YJQ40P03A , YJQ4666B , YJQ55P02A , YJQ62G06A , YJQD30P02A , YJS03N10A , YJS10N04A , BS170 , YJS2022A , YJS2301A , YJS2308A , YJS3404A , YJS4409A , YJS4606A , YJS8205A , CSD15380F3 .

History: AM7420N | 2SK2533 | 2SK957 | B7N70 | 2SK749 | APT6017LFLL | IPD80R1K4CE

 

 
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