YJS12G06D - аналоги и даташиты транзистора

 

YJS12G06D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: YJS12G06D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для YJS12G06D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJS12G06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1223K  cn yangzhou yangjie elec
 yjs12g06d.pdf pdf_icon

YJS12G06D

RoHS COMPLIANT YJS12G06D N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary VDS 60V ID 12A RDS(ON)( at VGS=10V) 8.5 mohm RDS(ON)( at VGS=4.5V) 12 mohm 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split Gate Trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for

Другие MOSFET... YJQ40G10A , YJQ40P03A , YJQ4666B , YJQ55P02A , YJQ62G06A , YJQD30P02A , YJS03N10A , YJS10N04A , IRF730 , YJS2022A , YJS2301A , YJS2308A , YJS3404A , YJS4409A , YJS4606A , YJS8205A , CSD15380F3 .

History: TMD4N60H | TMU7N65H

 

 
Back to Top

 


 
.