YJS12G06D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJS12G06D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для YJS12G06D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJS12G06D даташит

 ..1. Size:1223K  cn yangzhou yangjie elec
 yjs12g06d.pdf pdf_icon

YJS12G06D

RoHS COMPLIANT YJS12G06D N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary VDS 60V ID 12A RDS(ON)( at VGS=10V) 8.5 mohm RDS(ON)( at VGS=4.5V) 12 mohm 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split Gate Trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for

Другие IGBT... YJQ40G10A, YJQ40P03A, YJQ4666B, YJQ55P02A, YJQ62G06A, YJQD30P02A, YJS03N10A, YJS10N04A, IRF730, YJS2022A, YJS2301A, YJS2308A, YJS3404A, YJS4409A, YJS4606A, YJS8205A, CSD15380F3