YJS2022A Todos los transistores

 

YJS2022A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJS2022A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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YJS2022A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1229K  cn yangzhou yangjie elec
 yjs2022a.pdf pdf_icon

YJS2022A

RoHS COMPLIANT YJS2022A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -13A D R ( at V = -4.5V) 17mohm DS(ON) GS R ( at V = -2.5V) 20mohm DS(ON) GS R ( at V = -1.8V) 26mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology High density cell design for Low RDS(ON) High Speed

Otros transistores... YJQ40P03A , YJQ4666B , YJQ55P02A , YJQ62G06A , YJQD30P02A , YJS03N10A , YJS10N04A , YJS12G06D , IRFZ44N , YJS2301A , YJS2308A , YJS3404A , YJS4409A , YJS4606A , YJS8205A , CSD15380F3 , CSD17581Q5A .

History: XGP6510B | RJK0304DPB | PV6D2DA | NCE0125AK | HRLF150N10K | IPP200N15N3G | SMK0850F

 

 
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