YJS2022A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: YJS2022A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET YJS2022A

YJS2022A Datasheet (PDF)

..1. Size:1229K cn yangzhou yangjie elec
yjs2022a.pdf

RoHS COMPLIANT YJS2022A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -13A D R ( at V = -4.5V) 17mohm DS(ON) GS R ( at V = -2.5V) 20mohm DS(ON) GS R ( at V = -1.8V) 26mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology High density cell design for Low RDS(ON) High Speed

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: